企业简介
上海宇体光电有限公司是生产和研发半导体光电材料及器件的高科技企业。公司以邵春林博士为代表的、日本、美国归国博士团队作为技术核心，引进了国外先进的生产和科研设备，批量生产全系列、高效氮化镓基发光二极管（LED）外延片；并以先进的工艺批量生产各种规格的
上海宇体光电有限公司的工商信息
- 310115000874478
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2005年1月11日
- 陈勇
- 5000万人民币
- 至 永久
- 自贸试验区分局
- 2005年1月11日
- 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号2号楼608－14室
- 发光二极管、景观灯具的研发（涉及行政许可的，凭许可证经营）。
上海宇体光电有限公司的商标信息
上海宇体光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101145589A | 具有均匀分布的V型坑的GaN基LED及其生长方法 | 2008.03.19 | 一种在半导体外延层上形成规则分布的V型坑，并在具有规则分布的V型坑的半导体层上制作半导体发光二极管的 |
| 2 | CN102034907A | 一种提高GaN基LED发光效率的图形掩埋方法 | 2011.04.27 | 本发明公开一种图形掩埋方法和利用该方法提高GaN基LED发光效率的方法。该方法包括：利用具有规则分布 |
| 3 | CN101350384B | 具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺 | 2010.05.19 | 本发明介绍了具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺。根据本发明，具有第一导电类型的第一半导体材料层、 |
| 4 | CN101350384A | 具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺 | 2009.01.21 | 本发明介绍了具有改善出光率的LED芯片及其制作工艺。根据本发明，具有第一导电类型的第一半导体材料层、 |
| 5 | CN101106067A | 半导体器件与硅衬底的剥离方法 | 2008.01.16 | 一种将生长在硅衬底上的半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法。通过在具有腐蚀阻挡层的硅衬底上生长AlN |
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